Source-Drain Diode
Advanced Technical Information
IXKC 19N60C5
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
16
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 16 A; V GS = 0 V
I F = 16 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 400 V
0.9
430
9
42
1.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
V ISOL
F C
operating
storage
RMS leads-to-tab, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force
-55...+150
-55...+150
2500
11-65 / 2.4-11
°C
°C
V~
N/lb
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.3
2.7
K/W
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209b
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IXKC25N80C 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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